PI发布InnoSwitch3系列开关电源IC,效率高达94%
对于电源转换IC来说,效率、散热和尺寸这三点是关键因素。电源输入和输出功率的差额部分以热量的形式耗散掉;热量的消散与产品尺寸有关,物体体积越大,表面积也就越大,从而能够耗散更多的热量。通常,厂商会采用散热片来改善热量的传导方式,但是这样也会使成本增加。由此可得,对于体积更小的紧凑型设计,因其表面积更小,就需要电源的效率尽可能地提高。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。
近日,电源转换领域的主要创新者PowerIntegrations公司发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC。此款芯片在任何输入电压及负载条件下均可提供94%的高效性能,将电源损耗大幅降低25%,并且可以设计出无散热片的紧凑型65 W电源。利用先进的控制方式,实现极快速的动态响应特性及很低的输出波纹。通过高效性能降低散热成本,减小产品体积。
本次推出的最新反激式开关电源IC采用Power Integrations创新的隔离式数字通信技术 —— FluxLink™,此外还具有同步整流、准谐振开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。这些特性可实现高效率、高精度和高可靠性的电源设计,并且无需光耦器。InnoSwitch3器件已通过CCC、UL和VDE安全认证,可安全地跨接于安规隔离带之间。InSOP™-24封装可提供高效散热的薄型方案,并且初级侧与次级侧具有更宽的11.5 mm爬电距离和电气间隙,可靠性更高,抗浪涌及ESD能力更强。新器件还集成了完善的保护特性,包括无损耗输入过压及欠压保护、输出过压保护、过功率保护、过流保护、过温保护以及输出整流管短路保护。此外,新IC还提供不同的子系列产品,根据不同应用场合的典型要求可选择锁存或自动重启动的保护功能。所有InnoSwitch3IC均集成了高压MOSFET(CP和CE系列采用650 V额定电压MOSFET,EP系列采用725V额定电压MOSFET)。
InnoSwitch3IC产品系列针对不同应用提供三种子系列产品:
lCE:外部监测次级电流。采用外部输出电流检测可提供精确的恒流/恒压调整率,从而提高设计灵活性。适合仅有单一输出电压的紧凑型充电器、适配器、物联网和楼宇自动化应用。
lCP:恒定功率输出特性。适合USB功率传输(PD)、快速充电以及其他要求具有动态输出电压的应用。
lEP:嵌入式电源。集成了该系列额定电压最高的MOSFET (725 V),可提供全面的输入电压及负载保护,并且具有出色的多路输出交叉调整率,适合要求严苛的工业控制及家电应用。
PowerIntegrations产品开发副总裁MikeMatthews表示:“InnoSwitch3IC为反激式电源设计带来了最新、最先进的技术方案。与我们之前效率极高的InnoSwitch产品相比,这些新器件的效率更胜一筹,可进一步将损耗降低25%,在任何输入电压及负载条件下均提供一致的高效性能。InnoSwitch3IC方案具有系统极为简单和元件数少的特点,可实现超紧凑的高可靠性电源设计,且应用范围十分广泛。”
未来电子产品的趋势一定是内部元件越来越小、越来越高度集成化,这对任何厂商都是考验。在经历这份考验的过程中,有些厂商会脱颖而出,有些厂商则会被淘汰,只有不断更新自己的产品,挑战自己,才能寻得生机。InnoSwitch 3产品系列就是一款挑战自己的典范,期待此系列产品在市场中的表现。
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