东芝推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R
东京--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET“SSM6N813R”，该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用，包括LED前照灯驱动器IC。量产出货将于四月启动。.
100V的最大漏源极电压（VDSS）可确保SSM6N813R适用于需要多个LED的前照灯应用，高抗静电能力为此提供支持。SSM6N813R采用最新工艺制造，使用 TSOP6F封装，具备1.5W的允许功耗和低导通电阻。此外，TSOP6F的封装尺寸比SOP8封装小70%。
应用场合
汽车LED前照灯驱动器
特点
小型封装
高静电保护等级
低RDS（ON）
主要规格
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