当前位置: 上海铭静电子科技有限公司 » IGBT专题

IGBT高能效设计在太阳能中的应用

分类:IGBT专题 发布:2017年06月19日 22:32 浏览:1669次 Tag:

  对于太阳能逆变器来说,绝缘栅双极晶体管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益,其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制,并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT,使太阳能应用的功耗降至最低。

  太阳能逆变器是一种功率电子电路,能把太阳能电池板的直流电压转换为交流电压来驱动家用电器、照明及电机工具等交流负载。如图1所示,太阳能逆变器的典型架构一般采用四个开关的全桥拓扑。

  图1:采用全桥拓扑的典型太阳能逆变器架构

  在图1中,Q1和Q3被指定为高压侧IGBT,Q2和Q4则是低压侧IGBT。该逆变器用于在其目标市场的频率和电压条件下,产生单相位正弦电压波形。有些逆变器用于连接净计量效益电网的住宅安装,这就是其中一个目标应用市场,此项应用要求逆变器提供低谐波交流正弦电压,让电力可注入电网中。

  为满足这个要求,IGBT可在20kHz或以上频率的情况下,对50Hz或60Hz的频率进行脉宽调制,因此输出电感器L1和L2便可以保持合理的小巧体积,并能有效抑制谐波。此外,由于其转换频率高出人类的正常听觉频谱,因此该设计也可尽量减少逆变器产生的可听噪声。

  脉宽调制这些IGBT的最佳方法是什么?怎样才能把功耗降到最低呢?方法之一是仅对高压侧IGBT进行脉宽调制,对应的低压侧IGBT以50Hz或60Hz换相。图2所示为一个典型的栅压信号。当Q1正进行脉宽调制时,Q4维持正半周期操作。Q2和Q3在正半周期保持关断。到了负半周期,当Q3进行脉宽调制时,Q2保持开启状态。Q1和Q4会在负半周期关断。图2也显示了通过输出滤波电容器C1的AC正弦电压波形。

  

  图2:为Q1至Q4IGBT提供的栅极驱动信号,以及经过L1-C1-L2滤波器之后的输出AC正弦电压

  此变换技术具有以下优点:(1)电流不会在高压侧反并二极管上自由流动,因此可把不必要的损耗低至最低;(2)低压侧IGBT只会在50Hz或60Hz工频进行切换,主要是导通损耗;(3)由于同一相上的IGBT绝对不会以互补的方式进行转换,所以不可能出现总线短路击穿情况;(4)可优化低压 侧IGBT的反并联二极管,以尽量减低续流和反向恢复导致的损耗。

  IGBT技术

  IGBT基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(BJT)。这种设计让IGBT的栅极可以像MOSFET一样,以电压代替电流来控制开关。作为一种BJT,IGBT的电流处理能力比MOSFET更高。同时,IGBT亦如BJT一样是一种少数载体元件。这意味着IGBT关闭的速度是由少数载体复合的速度快慢来决定。此外,IGBT的关闭时间与它的集极-射极饱和电压(Vce(on))成反比(如图3所示)。

  图3:关闭时间与Vce(on)成反比

  以图3为例,若IGBT拥有相同的体积和技术,一个超速IGBT比一个标准速度的IGBT拥有更高的Vce(on) 。然而,超速IGBT的关闭速度却比标准IGBT快得多。图3反映的这种关系,是通过控制IGBT的少数载体复合率的使用周期以影响关闭时间来实现的。

  图4显示了四个拥有相同尺寸的IGBT的参数值。前三个IGBT采用同样的平面式技术,但使用不同的寿命复合控制计量。从表中可见,标准速度的IGBT具有最低Vce(on),但与快速和超速平面式IGBT相比,标准速度的IGBT下降时间最慢。第四个IGBT是经优化的槽栅IGBT,能够为太阳能逆变器这类高频率切换应用提供低导通和开关损耗。请注意,槽栅IGBT的Vce(on)和总切换损耗 (Ets)比超速平面式IGBT低。

 

 图4:采用不同速度和技术的IGBT的参数比较

  高压侧IGBT

  前文讨论了高压侧IGBT在20kHz或以上频率进行切换。假设设计一个拥有230V交流输出的1.5kW太阳能逆变器,图4中哪种IGBT具有最低的功耗呢?图5显示了IGBT在20kHz进行切换的功耗分析,由此可见超速平面式IGBT比其它两种平面式IGBT具有更低的总功耗。

  图5:高压侧IGBT在20kHz下的功耗

  在20kHz下,开关损耗明显成为总功耗的重要部分。同时,标准速度IGBT的导通损耗虽然最低,但其开关损耗却最大,并不适合充当高压侧IGBT。

  最新的600V槽栅IGBT专为20kHz的切换进行了优化。如图五所示,这种IGBT比以往的平面式IGBT提供较低的总功耗。因此,为了让太阳能逆变器的设计能够达到最高效率,槽栅IGBT是高压侧IGBT的首选元件。

  低压侧IGBT

  低压侧IGBT同样有同一问题。究竟哪一种IGBT才能提供最低的功耗?由于这些IGBT只会进行50Hz或60Hz切换,如图6所示,标准速度IGBT可提供最低的功耗。虽然标准IGBT会带来一些开关损耗,但数值并不足以影响IGBT的总功耗。事实上,最新的槽栅IGBT仍然拥有较高的功耗,因为这一代的槽栅IGBT专门针对高频率应用而设计,以平衡开关和导通损耗为目标。因此,对低压侧IGBT来说,标准速度平面式IGBT仍然是必然选择。

  图6:低压侧IGBT在60Hz情况下的功耗

  本文分析了太阳能逆变器应用的全桥拓扑。这种拓扑利用正弦脉宽调制技术,在高于20kHz情况下,为高压侧IGBT 进行转换。支线的低压侧IGBT决于输出频率要求,在50Hz或60Hz进行转换。若挑选最新的600V槽栅IGBT,其总功耗将会在20kHz下达到最 低。在低压侧IGBT方面,标准速度平面式IGBT是最佳选择。标准速度IGBT在50Hz或60Hz下拥有最低的导通损耗,其开关损耗对整体功耗来说微 不足道。因此,工程师只要正确选择IGBT组合, 就能将太阳能逆变器应用的功耗降至最低,从而实现高能效设计。

causes of hiv/aids jasonfollas.com hiv to aids symptoms
when to get an abortion west-bot.com after abortion
 
资讯栏目
最新资讯
资讯排行
 

收缩
  • 电话咨询

  • 021-31007558